Scanning ion conductance microscopy-morphology and mechanics

Scanning ion conductance microscopy (SICM) belongs to the family of scanning probe techniques. These techniques exploit the interaction between a sharp probe and a sample surface; by moving the probe along parallel lines, the local physical properties can be thus mapped. SICM main characteristics are the working environment, a bath of saline solution, and the absence of contact between probe and sample. It is mainly used to obtain high-resolution topographic images of nonconducting surfaces; however, it can be also employed to measure the stiffness of compliant samples.

La microscopia a scansione di conduttanza ionica (SICM), come tutte le tecniche della stessa famiglia, si basa su una forma di interazione tra una sottile sonda e la superficie del campione in studio. Muovendo la sonda per linee parallele sulla superficie vengono registrate le proprietà fisiche locali. Le caratteristiche principali della tecnica SICM sono l'ambiente di lavoro (bagno di soluzione salina) e l'assenza di contatto tra sonda e campione. Essa viene frequentemente usata per ottenere immagini topografiche ad alta risoluzione di superfici isolanti, ma offre anche la possibilità di misurare l'elasticità di campioni deformabili.