A comparative study of high temperature aluminium post implantation annealing in 6H and 4hsic, non-uniformity temperature effects

Nipoti R;
2002

2002
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
389-3
827
827
10
info:eu-repo/semantics/article
262
Lazar, M; Raynaud, C; Planson, D; Locatelli, Ml; Isoird, K; Ottaviani, L; Chante, Jp; Nipoti, R; Poggi, A; Cardinali, G
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
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