CNR Institutional Research Information System

Dependence of the transient enhanced diffusion of B in Si upon B concentration and ion implanted dose

Mannino G;
2002
2002
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
82-84
177
182
0
info:eu-repo/semantics/article
262
Solmi S.; Mannino G.; Servidori M.; Bersani M.; Mancini L.; Milita S.; Privitera V.; Anderle M.
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