Failure mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in doping profile and deep levels

Salviati G;Armani N;Rossi F;Pavesi M;Cavallini A;
2004

2004
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
474
478
12
info:eu-repo/semantics/article
262
Meneghesso, G; Levada, S; Zanoni, E; Salviati, G; Armani, N; Rossi, F; Pavesi, M; Manfredi, M; Cavallini, A; Castaldini, A; Du, S; Eliashevich, I...espandi
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