Low-temperature growth of HfO2 dielectric layers by Plasma-Enhanced CVD

Losurdo M;Giangregorio MM;Capezzuto P;Bruno G;Barreca D;Gasparotto A;
2003

2003
Istituto di Scienze e Tecnologie Molecolari - ISTM - Sede Milano
Istituto di Chimica della Materia Condensata e di Tecnologie per l'Energia - ICMATE
Materials Research Society, Warrendale, PA, USA
Material Research Society Symposia Proceedings
2003 MRS Fall Meeting
Boston, USA
none
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Losurdo M.; Giangregorio M.M.; Luchena M.; Capezzuto P.; Bruno G.; Barreca D.; Gasparotto A.; Tondello E.
275
04 Contributo in convegno::04.03 Poster in Atti di convegno
8
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/88287
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact