CNR Institutional Research Information System

SiC epitaxial growth on Si(100) substrates using carbon tetrabromide

Attolini G;Bosi M;Rossi F;Watts B E;Salviati G;
2009
2009
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM)
Nurnberg (Germany)
Silicon Carbide
none
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Attolini, G; Bosi, M; Rossi, F; Watts, B E; Salviati, G; Battistig, G; Dobos, L; Pecz, B
275
04 Contributo in convegno::04.03 Poster in Atti di convegno
8
04.03 Poster in Atti di convegno
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