CNR Institutional Research Information System

Curvature and stress analysis in 3C-SiC layers grown on (001) and (111) Si substrates

Bosi M;Attolini G;Watts B E;Ferrari C;
2010
2010
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
SiC
growth stress
curvature
VPE
04.03 Poster in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/99359
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