CNR Institutional Research Information System

Evaluation of curvature and stress in 3C-SiC grown on differently oriented Si substrates

Watts B E;Attolini G;Besagni T;Bosi M;Ferrari C;Rossi F;
2010
2010
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
SiC
stress
CURVATURE
growth
04.03 Poster in Atti di convegno
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