CNR Institutional Research Information System

CL and Dark Field TEM Analysis of Composition Change at Interfaces in InGaP/GaAs Junctions Grown by MOCVD

Frigeri C;
2010
2010
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
TEM
InGaP/GaAs
Interface
04.02 Abstract in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/99702
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