GALIZIA, BRUNO
 Distribuzione geografica
Continente #
AS - Asia 64
NA - Nord America 51
EU - Europa 41
SA - Sud America 8
OC - Oceania 1
Totale 165
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 49
SG - Singapore 23
IT - Italia 21
CN - Cina 14
HK - Hong Kong 10
VN - Vietnam 10
BR - Brasile 5
NL - Olanda 5
DE - Germania 4
FR - Francia 4
IN - India 4
GB - Regno Unito 3
CA - Canada 2
FI - Finlandia 2
AE - Emirati Arabi Uniti 1
AR - Argentina 1
AT - Austria 1
AU - Australia 1
BD - Bangladesh 1
CO - Colombia 1
ES - Italia 1
PE - Perù 1
SA - Arabia Saudita 1
Totale 165
Città #
San Jose 15
Singapore 12
Hong Kong 10
Los Angeles 9
Messina 5
Padova 5
Dallas 4
Ashburn 3
Hanoi 3
Beijing 2
Catania 2
Cavallino 2
Falkenstein 2
Hefei 2
Ho Chi Minh City 2
Lauterbourg 2
Montreal 2
Munich 2
Orem 2
Turku 2
Acaraú 1
Amsterdam 1
Barra Bonita 1
Biên Hòa 1
Bến Tre 1
Chennai 1
City of London 1
Council Bluffs 1
Dammam 1
Dubai 1
Ernakulam 1
Hòa Bình 1
Iporá 1
Kannur 1
Kansas City 1
La Plata 1
Lima 1
Madrid 1
Manchester 1
Mumbai 1
Phoenix 1
Portland 1
Salvador 1
Santiago de Cali 1
Seattle 1
Sydney 1
São Paulo 1
Vienna 1
Totale 116
Nome #
Structural and electrical correlation in aluminum nitride thin films grown by plasma enhanced atomic layer deposition as interface insulating layers on silicon carbide (4H-SiC) 69
Al2O3 Layers Grown by Atomic Layer Deposition as Gate Insulator in 3C-SiC MOS Devices 62
Towards aluminum oxide/aluminum nitride insulating stacks on 4H–SiC by atomic layer deposition 49
Totale 180
Categoria #
all - tutte 489
article - articoli 489
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 978


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2024/202581 0 0 1 1 0 37 5 4 3 5 14 11
2025/202699 2 6 6 8 15 8 23 11 7 9 4 0
Totale 180