IMPRONTA, MAURIZIO PIO
IMPRONTA, MAURIZIO PIO
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM - Sede Secondaria Bologna
Electromigration Reliability Assessment of Cu-based Metallization Systems by a Wafer-Level Approach
2007 Impronta, M; Marras, A; De Munari, I; Scorzoni, A; Valentini, Mg
Misure di Elettromigrazione a Livello Wafer (WLR) con Tecnica Isoterma (ISOT) su Strutture Realizzate in Tecnologia Cu-damascene per Memorie Flash
2007 Impronta M; Marras A
Reliability assessment of multi-via Cu-damascene structures by wafer-level isothermal electromigration tests
2007 Marras A; Impronta M; De Munari I; Valentini MG; Scorzoni A
Standard JEDEC JESD61A.01 Isothermal Electromigration Test Procedure
2007 Impronta, M; Schafft, H A
Misure di Elettromigrazione a Livello Wafer (WLR) con Tecnica Isoterma (ISOT) su Strutture Realizzate in Tecnologia Cu-damascene per Memorie Flash
2006 Impronta, M; Marras, A
Misure di Elettromigrazione a Livello Wafer (WLR) con Tecnica Isoterma (ISOT) su Strutture Realizzate in Tecnologia Cu-damascene per Memorie Flash
2005 Impronta, M; Farris, S
Resistance Instability in Cu-damascene Structures during the Isothermal Electromigration Test
2005 Impronta, M; Farris, S; Ficola, A; Scorzoni, A
Sistema per prove rapide, a livello wafer, di elettromigrazione con tecnica isoterma (ISOT), particolarmente orientato a misure su strutture Cu-damascene
2005 Impronta, M; Farris, S
An improved isothermal electromigration test for Cu-damascene characterization
2004 Impronta, M; Farris, S; Scorzoni, A
Misure di Elettromigrazione a Livello Wafer (WLR) con Tecnica Isoterma (ISOT) su Strutture Realizzate in Tecnologia Cu-damascene per Memorie Flash
2004 Impronta, M; Farris, S
Wide-band modelling of CMOS interconnections and voiding damages with the lumped element LE-FDTD method
2004 Alimenti F.; Impronta M.; Scorzoni A.; Roselli L.
FDTD Modeling of Void Defects in VLSI Interconnection
2002 Alimenti, F; Impronta, M; Palazzari, V; Placidi, P; Stopponi, G; Scorzoni, A; Roselli, L
Early detection of the metallization quality using moderately accelerated electromigration stress conditions
1998 Scorzoni, A; De Munari, I; Impronta, M; Balboni, R; Kelaidis, N; Foley, S; Forde, M
Are high resolution resistometric methods really useful for the early detection of electromigration damage?
1997 A Scorzoni; S Franceschini; R Balboni; M Impronta; I De Munari; F Fantini
RAPID ISOTHERMAL ANNEALING OF ION IMPLANTED SILICON DEVICES BY UNIFORM LARGE AREA IRRADIATION WITH A NEW ELECTRON BEAM SYSTEM.
1983 Dori, Leonello; Impronta, Maurizio; Lulli, Giorgio; Merli, Pier Giorgio; Severi, Maurizio