Dependence of the defect structure of InxGa1-xAs/InP epilayers on the In/Ga ratio in the vapour phase

	Anno
	
				1990
			
	Parole chiave
	
				InGaAs/InP
VPE
St
In/Ga ratio
			
	Appare nelle tipologie:
	
				04.02 Abstract in Atti di convegno

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/116742

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