Precipitates and deep levels in n-type LEC GaAs

C Frigeri;Fornari R;Gombia E;
1989

1989
Inglese
Abstract book
6th Oxford Conference on Electron Microscopy of Semiconducting Materials,
S 35
Sì, ma tipo non specificato
10-13/04/1989
Oxford (UK)
GaAs
LEC
deep levels
precipitates
13
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
Frigeri, C; Breitenstein, O; Fornari, R; Gleichmann, R; Gombia, E; Mosca, R CNR; Institute, Maspec; Via Chiavari, A; Parma, ; Italy Academy of Science...espandi
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