X-ray and HRXRD measurements and TEM observations of the lattice damage in 0.70 and 0.74 MeV Si implanted GaAs crystal

R Nipoti;C Bocchi;C Frigeri;
1995

1995
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Inglese
S. Coffa, G. Ferla, F. Priolo and E. Rimini
Ion Implantation Technology-94
X Int. Conf. on Ion Implantation Technology, IIT 94
918
0 444 82194 5
Elsevier
Amsterdam
PAESI BASSI
Sì, ma tipo non specificato
13-17 June 1994
Catania (I)
GaAs
implantation
X.ray
TEM
4
none
Nipoti, R; Bocchi, C; Frigeri, C; Lanzieri, C
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
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