CNR Institutional Research Information System

Dependence of the defect structure of InxGa1-xAs/InP epilayers on the In/Ga ratio in the vapour phase

C Frigeri;G Attolini;C Pelosi;
1991
1991
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Inglese
E. Lendvay
Epitaxial Crystal Growth, Part 2
1ST INTERNATIONAL CONF ON EPITAXIAL CRYSTAL GROWTH ( EPI-1 )
434
439
0-87849-616-5
Trans Tech Publications Ltd.
Stafa-Zurich
SWAZILAND
Sì, ma tipo non specificato
APR 01-07, 1990
Budapest (H)
InGaAs
InP
VPE growth
3
none
C. Frigeri; G. Attolini; C. Pelosi;F. Corticelli
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/118578
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