Growth conditions and crystal defects in hydride VPE InP homoepitaxial layers

	Anno
	
				1986
			
	Parole chiave
	
				InP
hydride VPE
TEM
defects
			
	Appare nelle tipologie:
	
				04.02 Abstract in Atti di convegno

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/120102

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