CNR Institutional Research Information System

The effect of feeding phase stoichiometry on the origin of crystal defects in hydride VPE InP layers

Attolini G;Frigeri C;Pelosi C;Salviati G;
1986
1986
Inglese
1986 Northeast Regional Meeting on 'Semiconductor-based heterostructures: interfacial structure and stability
Sì, ma tipo non specificato
01-02/05/1986
Murray Hill - New Jersey (USA)
InP
hydride VPE
defects
phase stoichiometry
5
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
Attolini, G; Frigeri, C; Pelosi, C; Salviati, G; Berti, R
04.02 Abstract in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/120107
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact