CNR Institutional Research Information System

Precipitates and deep levels in n-type LEC GaAs

C Frigeri;Fornari R;Gombia E;Mosca R
1989
1989
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Inglese
A. G. Cullis and J. L. Hutchinson
Microscopy of Semiconducting Materials 1989
6th Oxford Conference on Electron Microscopy of Semiconducting Materials
100
379
384
0-85498-056-3
IOP Publishing Ltd.
Bristol BS1 6BE
REGNO UNITO DI GRAN BRETAGNA
Sì, ma tipo non specificato
APR 10-13, 1989
oxford (UK)
GaAs
precipitates
deep levels
TEM
4
none
C. Frigeri; Breitenstein O.; Fornari R.; Gleichmann R.; Gombia E.;Mosca R.
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/123442
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