CNR Institutional Research Information System

Influence of non-stoichiometric melts on the defect structure of n-type bulk GaAs crystals

R Fornari;C Frigeri
1989
1989
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Inglese
S.G. Roberts, D.B. Holt and P.R. Wilshaw
Structure and Properties of Dislocations in Semiconductors
6th International Symposium on the Structure and Properties of Dislocations in Semiconductors
104
181
186
0-85498-060-1
IOP Publishing Ltd.
Bristol BS1 6BE
REGNO UNITO DI GRAN BRETAGNA
Sì, ma tipo non specificato
APR 05-08, 1989
oxford (UK)
GaAS
precipitates
deep levels
TEM
stoichiometry
1
none
R. Gleichmann; A. Höpner; R. Fornari;C. Frigeri
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/123443
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