CNR Institutional Research Information System

The influence of PH3 flow rate on the origin of crystal defects in hydride VPE InP layers

G Attolini;C Frigeri;C Pelosi;G Salviati;
1986
1986
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
0-87339-056-3
InP
VPE
TEM
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/126020
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