CNR Institutional Research Information System

The influence of PH3 flow rate on the origin of crystal defects in hydride VPE InP layers

G Attolini;C Frigeri;C Pelosi;G Salviati;
1986
1986
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Inglese
M.L. Green J.E.E. Baglin, G.Y. Chin, H.W. Deckman, W. Mayo and D. Narasinham
Semiconductor-based heterostructures: interfacial structure and stability
1986 Northeast Regional Meeting on 'Semiconductor-based heterostructures: interfacial structure and stability'
127
132
0-87339-056-3
Metallurgical Society, 1986.
Warrendale, Pa
STATI UNITI D'AMERICA
Sì, ma tipo non specificato
MAY 01-02, 86
Murray Hill - New Jersey (USA)
InP
VPE
TEM
Proceedings of the Northeast Regional Meeting of the Metallurgical Society, held at AT&T Bell Laboratories, Murray Hill, New Jersey, May 1-2, 1986 ; sponsored by the New Jersey Chapter ... [et al.] ; ed. by Martin L. Green ... [et al.].
5
none
Attolini, G; Frigeri, C; Pelosi, C; Salviati, G; Berti, R
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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