CNR Institutional Research Information System

MOCVD growth of Pr2O3 high- k gate dielectric for silicon: synthesis and structural investigation

Lo Nigro R;Toro R;Raineri V;
2003
2003
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
CVD XVI, Electrochemical Society
Sì, ma tipo non specificato
Parigi (Francia)
5
none
Lo Nigro, R; Toro, R; Malandrino, G; Raineri, V; Fragalà, Il
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/158947
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact