The Monte Carlo binary collision approximation applied to the simulation of the ion implantation process in single crystal SiC: high dose effects
G Lulli;E Albertazzi;R Nipoti;M Bianconi;
2001
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.