La preparazione e lo studio delle proprietà di nanostrutture a punti quantici costituiscono settori di enorme interesse per quanto riguarda la comprensione di sistemi a dimensionalità ridotta e per le ricadute applicative. Per quanto riguarda queste ultime, è opinione generale che laser a punti quantici rappresenteranno uno degli elementi su cui si baserà la prossima Rivoluzione Nanoelettronica. Presso IMEM si è sviluppato un Progetto che ha riguardato: 1) l'acquisizione della tecnologia di Epitassia da Fasci Molecolari (MBE) per la preparazione di nanostrutture a punti quantici, 2) la caratterizzazione ottica ed elettrica di queste strutture, 3) lo sviluppo del concetto di strain-engineering delle strutture per ottenere emissione ottica nelle finestre di interesse optoelettronico. Questo Progetto di Ricerca si è sviluppato all'interno del Progetto PRA "Nanotecnologie" del CNR-MIUR e del Progetto FIRB "Nanotecnologie e Nanodispositivi per la Società dell'Informazione" del MIUR ed è inserito nel Network of Excellence "Self-Assembled semiconductor Nanostructures for new Devices in photonics and Electronics (SANDiE)" del 6° Programma Quadro. Nell'ambito dei Progetti di cui sopra, le strutture preparate e studiate sono state rese disponibili alla comunità scientifica per studi di comune interesse e ad una azienda fra i leader mondiali nella fotonica (Avanex Corporation) per la fabbricazione di prototipi di dispositivi laser che hanno mostrato interessanti caratteristiche.
Nanostrutture a punti quantici per laser per comunicazioni su fibra ottica
Franchi S;Frigeri P;Seravalli L;Trevisi G;
2003
Abstract
La preparazione e lo studio delle proprietà di nanostrutture a punti quantici costituiscono settori di enorme interesse per quanto riguarda la comprensione di sistemi a dimensionalità ridotta e per le ricadute applicative. Per quanto riguarda queste ultime, è opinione generale che laser a punti quantici rappresenteranno uno degli elementi su cui si baserà la prossima Rivoluzione Nanoelettronica. Presso IMEM si è sviluppato un Progetto che ha riguardato: 1) l'acquisizione della tecnologia di Epitassia da Fasci Molecolari (MBE) per la preparazione di nanostrutture a punti quantici, 2) la caratterizzazione ottica ed elettrica di queste strutture, 3) lo sviluppo del concetto di strain-engineering delle strutture per ottenere emissione ottica nelle finestre di interesse optoelettronico. Questo Progetto di Ricerca si è sviluppato all'interno del Progetto PRA "Nanotecnologie" del CNR-MIUR e del Progetto FIRB "Nanotecnologie e Nanodispositivi per la Società dell'Informazione" del MIUR ed è inserito nel Network of Excellence "Self-Assembled semiconductor Nanostructures for new Devices in photonics and Electronics (SANDiE)" del 6° Programma Quadro. Nell'ambito dei Progetti di cui sopra, le strutture preparate e studiate sono state rese disponibili alla comunità scientifica per studi di comune interesse e ad una azienda fra i leader mondiali nella fotonica (Avanex Corporation) per la fabbricazione di prototipi di dispositivi laser che hanno mostrato interessanti caratteristiche.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.