Flusso di processo di fabbricazione di MOSFET in 4H SiC basato su un impianto di azoto nella regione di canale del transistore. La presenza dell'azoto all'interfaccia ossido-SiC riduce sensibilmente la densita' di stati interfacciali ed aumenta conseguentemente la mobilita' degli elettroni nel canale.
Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita
Moscatelli F;Nipoti R;Poggi A;Solmi S
2007
Abstract
Flusso di processo di fabbricazione di MOSFET in 4H SiC basato su un impianto di azoto nella regione di canale del transistore. La presenza dell'azoto all'interfaccia ossido-SiC riduce sensibilmente la densita' di stati interfacciali ed aumenta conseguentemente la mobilita' degli elettroni nel canale.File in questo prodotto:
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