Dispositivi MOSFET fabbricati su 4H SiC con un processo innovativo basato su un impianto di azoto nella regione di canale prima dell'ossidazione di gate. La presenza dell'azoto all'interfaccia ossido-SiC riduce sensibilmente la densità di stati interfacciali ed aumenta conseguentemente la mobilità degli elettroni nel canale.
Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC
FRANCESCO MOSCATELLI;ROBERTA NIPOTI;ANTONELLA POGGI;SANDRO SOLMI
2007
Abstract
Dispositivi MOSFET fabbricati su 4H SiC con un processo innovativo basato su un impianto di azoto nella regione di canale prima dell'ossidazione di gate. La presenza dell'azoto all'interfaccia ossido-SiC riduce sensibilmente la densità di stati interfacciali ed aumenta conseguentemente la mobilità degli elettroni nel canale.File in questo prodotto:
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