Si tratta di MOSFET verticali in SiC con epitassia di 8 microns e struttura a celle. Il dispositivo lavora a 1200 V ed ha una mobilità di canale max di 10 cm2/Vs
MOSFET verticali 1200 V in SiC
F Roccaforte;F Giannazzo;V Raineri
2008
Abstract
Si tratta di MOSFET verticali in SiC con epitassia di 8 microns e struttura a celle. Il dispositivo lavora a 1200 V ed ha una mobilità di canale max di 10 cm2/VsFile in questo prodotto:
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