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Si tratta di MOSFET verticali in SiC con epitassia di 8 microns e struttura a celle. Il dispositivo lavora a 1200 V ed ha una mobilità di canale max di 10 cm2/Vs

MOSFET verticali 1200 V in SiC

F Roccaforte;F Giannazzo;V Raineri
2008

Abstract

Si tratta di MOSFET verticali in SiC con epitassia di 8 microns e struttura a celle. Il dispositivo lavora a 1200 V ed ha una mobilità di canale max di 10 cm2/Vs
2008
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Il dispositivo è stato dimostrato a livello prototipale. Sono in corso ulteriori sviluppi ed implementazioni
6
Saggio, M; Zanetti, E; Frisina, F; Roccaforte, F; Giannazzo, F; Raineri, V
05 Altro::05.12 Altro
info:eu-repo/semantics/other
none
298
05.12 Altro
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/195684
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