Il processo include un metodo per la formazione di uno strato protettivo sulla superficie del SiC compatibile con i processi standard e della sua rimozione senza alterare le caratteristiche elettriche della superficie.
Metodo per proteggere la superficie del 4H-SiC durante processi termici ad alta temperatura
F Roccaforte;S Di Franco;V Raineri
2010
Abstract
Il processo include un metodo per la formazione di uno strato protettivo sulla superficie del SiC compatibile con i processi standard e della sua rimozione senza alterare le caratteristiche elettriche della superficie.File in questo prodotto:
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