CNR Institutional Research Information System

EFFECT OF PASSIVATING OXIDES ON THE SURFACE RECOMBINATION VELOCITY IN SILICON

APoggi;
1989
1989
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
WOS:A1989AD39400040
113
1
K61
K65
5
Sì, ma tipo non specificato
265
A.Poggi; E.Susi
none
info:eu-repo/semantics/article
01 Contributo su Rivista::01.04 Nota a sentenza
1
01.04 Nota a sentenza
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