[object Object]

Ti/Al ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures with different defect density

Greco G;Bongiorno C;Giannazzo F;Roccaforte F
2014

Abstract

[object Object]
2014
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
314
546
551
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84906693630&partnerID=q2rCbXpz
Sì, ma tipo non specificato
AlGaN/GaN
Ohmic contact
Ti/Al
V-defects
4
info:eu-repo/semantics/article
262
Greco G.; Iucolano F.; Bongiorno C.; Giannazzo F.; Krysko M.; Leszczynski M.; Roccaforte F.
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/253361
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 26
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact