CNR Institutional Research Information System

[object Object]

4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6

Piluso N;La Via F
2014

Abstract

[object Object]
2014
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
150 mm substrate
4H-SiC
6 inch
ACISWR
Automatic
Epitaxy
Horizontal
Hot wall
PE1O6
Reactor
Trichlorosilane
01.01 Articolo in rivista
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