CNR Institutional Research Information System

[object Object]

4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6

Piluso N;La Via F
2014

Abstract

[object Object]
2014
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
778-780
121
124
2-s2.0-84896089682
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84896089682&partnerID=q2rCbXpz
150 mm substrate
4H-SiC
6 inch
ACISWR
Automatic
Epitaxy
Horizontal
Hot wall
PE1O6
Reactor
Trichlorosilane
9
info:eu-repo/semantics/article
262
Mauceri, M; Pecora, A; Litrico, G; Vecchio, C; Puglisi, M; Crippa, D; Piluso, N; Camarda, M; La Via, F
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none
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