Silicon carbide (SiC) is one of the compound semiconductor which has been considered as a potential alternative to Silicon for the fabrication of radiation hard particles detectors. Material, detectors implementation and possible application in the future INFN projects has been discussed.

Silicon carbide for future intense luminosity nuclear physics investigations

Labate L;Muoio A;Rebai M;Zimbone M
2019

Abstract

Silicon carbide (SiC) is one of the compound semiconductor which has been considered as a potential alternative to Silicon for the fabrication of radiation hard particles detectors. Material, detectors implementation and possible application in the future INFN projects has been discussed.
2019
Istituto di fisica del plasma - IFP - Sede Milano
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Istituto Nazionale di Ottica - INO
CROSS-SECTION; IRRADIATION; PROTON; RAY
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