Al+ implanted 4H-SiC p+n diodes: SIMS, C-V and DLTS characterizations

Nipoti R;Fabbri F;Moscatelli F;Poggi A;
2009

2009
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
WASMPE 2009
No
Catania
6
none
Nipoti, R; Fabbri, F; Moscatelli, F; Poggi, A; Cavallini, A; Carnera, A
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/69367
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact