CNR Institutional Research Information System

Evolution of Interface Properties During Atomic Layer Deposition of Rare Earth-based High-k Dielectrics on Si, Ge and III-V Substrates

Wiemer C;Molle A;Perego M;Fanciulli M
2010
2010
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
MRS Spring Meeting: Symposium I: Materials for End-of-Roadmap Scaling of CMOS Devices
Sì, ma tipo non specificato
San Francisco, California, USA
4
none
Lamagna L; Wiemer C; Baldovino S; Molle A; Perego M; SchammChardon S; Coulon PE; Fanciulli M
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/70170
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