CNR Institutional Research Information System

Structural and Electrical Properties of ALD Deposited Er-HfO2 for Gate Dielectric

Wiemer C;Perego M;Fanciulli M
2010
2010
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
MRS Spring Meeting: Symposium I: Materials for End-of-Roadmap Scaling of CMOS Devices
Sì, ma tipo non specificato
San Francisco, California, USA
8
none
Wiemer, C; Lamagna, L; Baldovino, S; Perego, M; Salicio, O; Schammchardon, S; Coulon, Pe; Fanciulli, M
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/70171
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact