CNR Institutional Research Information System

Phosphorus ion implantation in SiC: recovery of the implantation damage by low temperature annealing

Canino M;Nipoti R;Poggi A
2007
2007
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
2nd WASMPE (Workshop on Advanced Semiconductor Materials and devices for Power Electronics applications
Olbia, Italy
wide band gap semiconductor
electronic devices
post implantation annealing
6H-SiC
none
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Canino, M; Cavallini, A; Nipoti, R; Poggi, A
275
04 Contributo in convegno::04.03 Poster in Atti di convegno
4
04.03 Poster in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/86685
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