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Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature

Moscatelli F;Canino M;Poggi A;Nipoti R
2004
2004
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
4H-SiC
ion implantation
annealing
p+/n junction diode
04.03 Poster in Atti di convegno
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