CNR Institutional Research Information System

Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient

Nipoti R;Moscatelli F;Poggi A;Canino M;
2005
2005
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
wide band gap semiconductors
4H-SiC
ion implanted diodes
lekage currents
04.03 Poster in Atti di convegno
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