CNR Institutional Research Information System

n+/p Diodes Realized in SiC by Phosphorus Ion Implantation: Electrical Characterization as a Function of Temperature

Canino M;Moscatelli F;Nipoti R;Poggi A
2004
2004
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
SiC
ion implantation
n+/p diode
electrical characterization
defects
04.03 Poster in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/86698
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