CNR Institutional Research Information System

Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient

Poggi A;Moscatelli F;Scorzoni A;Nipoti R;Sanmartin M
2005
2005
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
wide band gap semiconductors
4H-SiC
n-type MOS
oxynitridation
interface state density
04.03 Poster in Atti di convegno
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