Lattice location of As in heavily doped Si:As investigated by atomistic simulation of RBS-c spectra

Satta A;Albertazzi E;Bianconi M;Lulli G
2003

2003
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
Materials Research Society Fall Meeting
Boston (USA)
6
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
Satta, A; Albertazzi, E; Balboni, S; Bianconi, M; Colombo, L; Lulli, G
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