CNR Institutional Research Information System

InAs/InGaAs nanostructures emitting at 1.50 um obtained by a combined approach of quantum dot strain engineering and barrier enhancing

Seravalli L;Frigeri P;Avanzini V;Franchi S
2007
2007
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/98371
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