Effect of temperature on the mutual diffusion of Ge/GaAs and GaAs/Ge

Bosi M;Attolini G;Ferrari C;Frigeri C;Calicchio M;Rossi F;
2010

2010
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Inglese
The 16th International Conference on Crystal Growth
Sì, ma tipo non specificato
8-13 Aug., 2010
Beijing (Cina)
Ge/GaAs
Diffusion
9
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
Bosi, M; Attolini, G; Ferrari, C; Frigeri, C; Calicchio, M; Rossi, F; Vad, K; Csik, A; Zolnai, Z
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/99697
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact