VIVONA, MARILENA
VIVONA, MARILENA
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Anomalous Electrical Behavior of 4H-SiC Schottky Diodes in Presence of Stacking Faults
2024 Vivona, M.; Fiorenza, P.; Scuderi, V.; La Via, F.; Giannazzo, F.; Roccaforte, F.
Electrical and Structural Properties of Ohmic Contacts of SiC Diodes Fabricated on Thin Wafers
2024 Badalà, Paolo; Bongiorno, Corrado; Fiorenza, Patrick; Bellocchi, Gabriele; Smecca, Emanuele; Vivona, Marilena; Zignale, Marco; Massimino, Maurizio; Deretzis, Ioannis; Rascunà, Simone; Frazzica, Marcello; Boscaglia, Massimo; Roccaforte, Fabrizio; La Magna, Antonino; Alberti, Alessandra
Schottky contacts on sulfurized silicon carbide (4H-SiC) surface
2024 Roccaforte, Fabrizio; Vivona, Marilena; Panasci, Salvatore Ethan; Greco, Giuseppe; Fiorenza, Patrick; Sulyok, Attila; Koos, Antal; Pecz, Bela; Giannazzo, Filippo
Silicon Carbide: Material Growth, Device Processing, and Applications
2024 Vivona, M.; Jennings, M.
Thermionic Field Emission in the Lifetime Estimation of p-GaN Gate HEMTs
2024 Greco, G.; Fiorenza, P.; Giannazzo, F.; Vivona, M.; Venuto, C.; Iucolano, F.; Roccaforte, F.
Exploring UV-Laser Effects on Al-Implanted 4H-SiC
2023 Vivona, M.; Giannazzo, F.; Bellocchi, G.; Panasci, S. E.; Agnello, S.; Badalà, P.; Bassi, A.; Bongiorno, C.; Di Franco, S.; Rascunà, S.; Roccaforte, F.
Space charge limited current in 4H-SiC Schottky diodes in the presence of stacking faults
2023 Vivona, M.; Fiorenza, P.; Scuderi, V.; La Via, F.; Giannazzo, F.; Roccaforte, F.
Effects of Excimer Laser Irradiation on the Morphological, Structural, and Electrical Properties of Aluminum-Implanted Silicon Carbide (4H-SiC)
2022 Vivona, M.; Giannazzo, F.; Bellocchi, G.; Panasci, S. E.; Agnello, S.; Badala, P.; Bassi, A.; Bongiorno, C.; Di Franco, S.; Rascuna, S.; Roccaforte, F.
Electrical evolution of W and WC Schottky contacts on 4H-SiC at different annealing temperatures
2022 Vivona, M.; Bellocchi, G.; Lo Nigro, R.; Rascunà, S.; Roccaforte, F.
Materials and Processes for Schottky Contacts on Silicon Carbide
2022 Vivona, M; Giannazzo, F; Roccaforte, F
Ni/Heavily-Doped 4H-SiC Schottky Contacts
2022 Vivona, M.; Greco, G.; Di Franco, S.; Fiorenza, P.; Giannazzo, F.; La Magna, A.; Roccaforte, F.
Temperature and time dependent electron trapping in Al2O3 thin films onto AlGaN/GaN heterostructures
2022 Fiorenza, Patrick; Schiliro', Emanuela; Greco, Giuseppe; Vivona, Marilena; Cannas, Marco; Giannazzo, Filippo; Lo Nigro, Raffaella; Roccaforte, Fabrizio
Barrier height tuning in Ti/4H-SiC Schottky diodes
2021 Bellocchi, G.; Vivona, M.; Bongiorno, C.; Badalà, P.; Bassi, A.; Rascunà, S.; Roccaforte, F.
Electrical properties of inhomogeneous tungsten carbide Schottky barrier on 4H-SiC
2021 Vivona, M; Greco, G; Bellocchi, G; Zumbo, L; Di Franco, S; Saggio, M; Rascuna, S; Roccaforte, F
Ni Schottky barrier on heavily doped phosphorous implanted 4H-SiC
2021 Vivona, M.; Greco, G.; Spera, M.; Fiorenza, P.; Giannazzo, F.; La Magna, A.; Roccaforte, F.
Selective Doping in Silicon Carbide Power Devices
2021 Roccaforte, Fabrizio; Fiorenza, Patrick; Vivona, Marilena; Greco, Giuseppe; Giannazzo, Filippo
Active dopant profiling and Ohmic contacts behavior in degenerate n-type implanted silicon carbide
2020 Spera, Monia; Greco, Giuseppe; Severino, Andrea; Vivona, Marilena; Fiorenza, Patrick; Giannazzo, Filippo; Roccaforte, Fabrizio
Properties of Al2O3 thin films deposited on 4H-SiC by reactive ion sputtering
2019 Fiorenza, P. ; Vivona, M. ; Di Franco, S. ; Smecca, E. ; Sanzaro, S. ; Alberti, A. ; Saggio, M. ; Roccaforte, F.
Metal/semiconductor contacts to silicon carbide: Physics and technology
2018 Roccaforte, F; Vivona, M; Greco, G; Lo Nigro, R; Giannazzo, F; Rascuna, S; Saggio, M
Non-destructive characterization of rare-earth-doped optical fiber preforms
2018 Vivona, M; Kim, J; Zervas, Mn
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| Anomalous Electrical Behavior of 4H-SiC Schottky Diodes in Presence of Stacking Faults | 1-gen-2024 | Vivona, M.; Fiorenza, P.; Scuderi, V.; La Via, F.; Giannazzo, F.; Roccaforte, F. | |
| Electrical and Structural Properties of Ohmic Contacts of SiC Diodes Fabricated on Thin Wafers | 1-gen-2024 | Badalà, Paolo; Bongiorno, Corrado; Fiorenza, Patrick; Bellocchi, Gabriele; Smecca, Emanuele; Vivona, Marilena; Zignale, Marco; Massimino, Maurizio; Deretzis, Ioannis; Rascunà, Simone; Frazzica, Marcello; Boscaglia, Massimo; Roccaforte, Fabrizio; La Magna, Antonino; Alberti, Alessandra | |
| Schottky contacts on sulfurized silicon carbide (4H-SiC) surface | 1-gen-2024 | Roccaforte, Fabrizio; Vivona, Marilena; Panasci, Salvatore Ethan; Greco, Giuseppe; Fiorenza, Patrick; Sulyok, Attila; Koos, Antal; Pecz, Bela; Giannazzo, Filippo | |
| Silicon Carbide: Material Growth, Device Processing, and Applications | 1-gen-2024 | Vivona, M.; Jennings, M. | |
| Thermionic Field Emission in the Lifetime Estimation of p-GaN Gate HEMTs | 1-gen-2024 | Greco, G.; Fiorenza, P.; Giannazzo, F.; Vivona, M.; Venuto, C.; Iucolano, F.; Roccaforte, F. | |
| Exploring UV-Laser Effects on Al-Implanted 4H-SiC | 1-gen-2023 | Vivona, M.; Giannazzo, F.; Bellocchi, G.; Panasci, S. E.; Agnello, S.; Badalà, P.; Bassi, A.; Bongiorno, C.; Di Franco, S.; Rascunà, S.; Roccaforte, F. | |
| Space charge limited current in 4H-SiC Schottky diodes in the presence of stacking faults | 1-gen-2023 | Vivona, M.; Fiorenza, P.; Scuderi, V.; La Via, F.; Giannazzo, F.; Roccaforte, F. | |
| Effects of Excimer Laser Irradiation on the Morphological, Structural, and Electrical Properties of Aluminum-Implanted Silicon Carbide (4H-SiC) | 1-gen-2022 | Vivona, M.; Giannazzo, F.; Bellocchi, G.; Panasci, S. E.; Agnello, S.; Badala, P.; Bassi, A.; Bongiorno, C.; Di Franco, S.; Rascuna, S.; Roccaforte, F. | |
| Electrical evolution of W and WC Schottky contacts on 4H-SiC at different annealing temperatures | 1-gen-2022 | Vivona, M.; Bellocchi, G.; Lo Nigro, R.; Rascunà, S.; Roccaforte, F. | |
| Materials and Processes for Schottky Contacts on Silicon Carbide | 1-gen-2022 | Vivona, M; Giannazzo, F; Roccaforte, F | |
| Ni/Heavily-Doped 4H-SiC Schottky Contacts | 1-gen-2022 | Vivona, M.; Greco, G.; Di Franco, S.; Fiorenza, P.; Giannazzo, F.; La Magna, A.; Roccaforte, F. | |
| Temperature and time dependent electron trapping in Al2O3 thin films onto AlGaN/GaN heterostructures | 1-gen-2022 | Fiorenza, Patrick; Schiliro', Emanuela; Greco, Giuseppe; Vivona, Marilena; Cannas, Marco; Giannazzo, Filippo; Lo Nigro, Raffaella; Roccaforte, Fabrizio | |
| Barrier height tuning in Ti/4H-SiC Schottky diodes | 1-gen-2021 | Bellocchi, G.; Vivona, M.; Bongiorno, C.; Badalà, P.; Bassi, A.; Rascunà, S.; Roccaforte, F. | |
| Electrical properties of inhomogeneous tungsten carbide Schottky barrier on 4H-SiC | 1-gen-2021 | Vivona, M; Greco, G; Bellocchi, G; Zumbo, L; Di Franco, S; Saggio, M; Rascuna, S; Roccaforte, F | |
| Ni Schottky barrier on heavily doped phosphorous implanted 4H-SiC | 1-gen-2021 | Vivona, M.; Greco, G.; Spera, M.; Fiorenza, P.; Giannazzo, F.; La Magna, A.; Roccaforte, F. | |
| Selective Doping in Silicon Carbide Power Devices | 1-gen-2021 | Roccaforte, Fabrizio; Fiorenza, Patrick; Vivona, Marilena; Greco, Giuseppe; Giannazzo, Filippo | |
| Active dopant profiling and Ohmic contacts behavior in degenerate n-type implanted silicon carbide | 1-gen-2020 | Spera, Monia; Greco, Giuseppe; Severino, Andrea; Vivona, Marilena; Fiorenza, Patrick; Giannazzo, Filippo; Roccaforte, Fabrizio | |
| Properties of Al2O3 thin films deposited on 4H-SiC by reactive ion sputtering | 1-gen-2019 | Fiorenza, P. ; Vivona, M. ; Di Franco, S. ; Smecca, E. ; Sanzaro, S. ; Alberti, A. ; Saggio, M. ; Roccaforte, F. | |
| Metal/semiconductor contacts to silicon carbide: Physics and technology | 1-gen-2018 | Roccaforte, F; Vivona, M; Greco, G; Lo Nigro, R; Giannazzo, F; Rascuna, S; Saggio, M | |
| Non-destructive characterization of rare-earth-doped optical fiber preforms | 1-gen-2018 | Vivona, M; Kim, J; Zervas, Mn |