Interface studies of InGaP epilayers grown by LP MOVPE

C Frigeri;C Pelosi;M Bosi;G Attolini;M Calicchio;
2005

2005
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Inglese
abstract book
DRIP XI, 11th International Conference on Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors,
98
98
Sì, ma tipo non specificato
15 - 19 sett. 2005
Beijing (Cina)
InGaP/GaAs
Interface
Chemical composition
6
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
Frigeri, C; Pelosi, C; Bosi, M; Attolini, G; Calicchio, M; Germini, F
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/129943
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact