CNR Institutional Research Information System

Study of the effects of growth rate, miscut direction and postgrowth argon annealing on the surface morphology of homoepitaxially grown 4H silicon carbide films

Fiorenza P;Privitera S;La Magna A;La Via F;
2013
2013
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
740-742
229
234
Sì, ma tipo non specificato
14
info:eu-repo/semantics/article
262
Camarda, M; Canino, A; Fiorenza, P; Severino, A; Anzalone, R; Privitera, S; La Magna, A; La Via, F; Vecchio, C; Mauceri, M; Litrico, G; Pecora, A; Cri...espandi
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none
01.01 Articolo in rivista
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