Extended characterization of the stress fields in the heteroepitaxial growth of 3C-SiC on silicon for sensors and device applications
Anzalone R;Piluso N;La Via F;La Magna;
2012
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.