Microstructure and transport properties in alloyed Ohmic contacts to p-type SiC and GaN for power devices applications

F Roccaforte;R Lo Nigro;F Giannazzo;
2012

2012
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
711
203
207
Sì, ma tipo non specificato
10
info:eu-repo/semantics/article
262
Roccaforte, F; Frazzetto, A; Greco, G; Lo Nigro, R; Giannazzo, F; Leszczynski, M; Pristawko, P; Zanetti, E; Saggio, M; Raineri, V
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
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